23/40 | . | в которых стробирующие или синхронизирующие сигналы подаются на все разряды, т.е. синхронные счетчики [4] |
23/42 | . | . | сдвинутые по фазе стробирующие или синхронизирующие сигналы подаются на разряды счетчика [4] |
23/44 | . | . | . | с использованием полевых транзисторов [4] |
23/46 | . | . | . | с использованием приборов с переносом заряда, т.е. приборов с набором потенциальных ям или приборов с зарядовой связью [4] |
23/48 | . | . | с основанием системы счисления иным, чем степень числа два (H03K 23/42 имеет преимущество) [4] |
23/50 | . | . | с использованием регенеративных триггерных схем с двумя устойчивыми состояниями (H03K 23/42-H03K 23/48 имеют преимущество) [4] |
23/52 | . | . | . | с использованием полевых транзисторов [4] |
23/54 | . | . | . | кольцевые счетчики, т.е. счетчики с регистром сдвига в цепи обратной связи (H03K 23/52 имеет преимущество) [4] |
23/56 | . | . | . | реверсивные счетчики (H03K 23/52 имеет преимущество) [4] |
23/58 | . | в которых стробирующие или синхронизирующие сигналы подаются не на все разряды, т.е. асинхронные счетчики (H03K 23/74-H03K 23/84 имеют преимущество) [4] |
23/60 | . | . | с полевыми транзисторами [4] |
23/62 | . | . | реверсивные [4] |
23/64 | . | с основанием системы исчисления иным, чем степень числа два (H03K 23/40-H03K 23/62 имеют преимущество) [4] |
23/66 | . | . | с переменным основанием системы счисления, например с помощью предварительной установки или добавочных или подавляющих импульсов [4] |
23/68 | . | . | в которых основание системы счисления является дробным числом [4] |
23/70 | . | . | в которых основание системы счисления является нечетным числом (H03K 23/66 имеет преимущество) [4] |
23/72 | . | . | десятичные счетчики (H03K 23/66 имеет преимущество) [4] |
23/74 | . | с использованием реле [4] |
23/76 | . | с использованием магнитных сердечников или ферроэлектрических конденсаторов [4] |
23/78 | . | с использованием оптоэлектронных устройств [4] |
23/80 | . | с использованием полупроводниковых приборов, имеющих только два электрода, например туннельного диода, многослойного диода [4] |
23/82 | . | с использованием газонаполненных ламп [4] |
23/84 | . | с использованием тиристоров или однопереходных транзисторов [4] |
23/86 | . | реверсивные (H03K 23/40-H03K 23/84 имеют преимущество) [4] |